存储芯片涨价将延续

青山财观
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2025年9月14日,Micron宣布上调存储产品价格20%-30%,其中DRAM品类下的DDR4、DDR5及移动DRAM(LPDDR4、LPDDR5)等产品同步暂停报价。紧接其后9月22日,Newdaily报道Samsung宣布上调LPDDR4X、LPDDR5/5X等移动DRAM产品合约价15%-30%,同时将NANDFlash合约价上调5%-10%。之后10月23日,SKHynix官宣2025Q4DRAM与NANDFlash合约价最高上调30%。

伴随DRAM与NANDFlash现货平均价全面持续上扬,全球存储芯片市场已正式开启新一轮成长周期。

我梳理了2016-2025年全球芯片市场的周期表现,对过往的涨价与跌价进行了复盘分析。

2016-2018年经历了一轮涨价周期,主要原因来自于智能手机的升级换代。2015年上市的iPhone6S,标配2GB运行内存与16GB存储容量;至2018年发布的iPhoneXS,运行内存已提升至4GB,存储容量逐步迭代至64GB,带动智能手机端存储芯片需求大幅增长。2018-2019年,随着智能手机出货量下滑,同时手机升级周期结束,存储芯片需求下降;存储芯片市场供过于求,行业转入下行调整。

2020-2023年,线上经济、居家办公等场景拉动了PC等终端出货量提升。由于疫情导致供应链的不确定性,各个产业链增加冗余性的囤货,拉动存储市场需求进入上行周期。由于疫情影响消退,线上办公需求逐步回落、回归常态;终端出货量趋于平稳,产业链囤货减少,市场供需格局转向供过于求,存储芯片行业进入降价周期。

与此前存储周期依赖单一驱动逻辑(前两轮分别由消费电子需求主导、疫情期间线上经济拉动PC需求)不同,2024年开启的第三轮存储周期,呈现出云厂商资本开支加码催生AI服务器需求爆发、智能手机配置持续升级等多因素共振驱动的多元特征。

2024年,DRAM与NANDFlash的下游需求主要由服务器、智能手机及个人电脑(PC)三类终端构成,三者合计贡献比例分别达80%和75%。具体来看,DRAM领域中服务器、智能手机、PC的占比依次为34%、32%、14%;NANDFlash领域对应占比则为30%、31%、14%。在2022年之前存储芯片市场最主要的应用场景是智能手机,但在2023年之后由于AI的快速发展,服务器也成为拉动需求的促进因素,智能手机和服务器两者目前贡献权重基本接近。

主流智能手机内存、存储容量的持续升级,不断推动存储芯片需求快速增长。作为全球智能手机龙头,苹果的产品配置升级对行业具有较强的引领作用。

通过梳理2015-2025年10年间iPhone系列机型的运行内存容量及存储容量配置数据,我们发现:

1)2016-2018年iPhone存储芯片的密集升级与同期的存储市场周期吻合。运行内存从iPhone6S的2GB逐步提升至iPhoneX的3GB,iPhoneXS进一步提升至4GB。

2)2024-2025年,iPhone开启了新一轮存储芯片升级。2025年的iPhone17提升至256GB。

总结以上,我们发现iPhone内存容量平均2-4年完成一次迭代升级;存储容量每隔4年完成一次升级。iPhone在2025年完成存储容量升级后,判断其内存容量有望迎来再次升级。如此密集的持续升级,有望助推全球存储芯片市场涨价周期在2026年延续。

除了智能手机带来的市场需求,AI产业的发展让服务器对存储芯片的需求与日俱增。2023年起AI技术持续迭代,服务器等高端计算设备对存储的容量、带宽及延迟性能提出更高要求。HBM3E、DDR5等先进存储技术加速迭代,成为匹配这一需求的核心方案:其中HBM3E凭借超高带宽,且散热与能效较前代实现明显提升,有效突破AI大模型训练的I/O瓶颈;DDR5则凭借低延迟优势,精准适配推理场景的高性能需求。

国内外八大云厂商积极布局服务器及相关领域,通过技术迭代夯实底层基础设施支撑。随着云厂商在服务器领域的开拓创新,有望推动AI服务器市场持续向好。

下面,我来简单说说DRAM和NAND Flash是什么。

内存:DRAM

DRAM是一种易失性存储器,可与CPU、GPU等计算芯片直接交互,用于快速存储每秒数十亿次计算过程中产生的临时信息。

DRAM芯片主要由存储单元、外围逻辑电路、周边线路三部分组成。

1)存储单元是DRAM存储数据的最小单元,每个单元仅存储1bit二进制数据;单颗芯片的容量拓展,主要通过增加存储单元数量、提升单位面积存储密度实现。存储单元阵列占据芯片55%-60%的面积。

2)外围逻辑电路负责控制数据的读取、写入及刷新等操作,保障数据准确性与存储单元的正常运行,这部分占据芯片25%-30%的面积。

3)周边线路由控制线路与输入/输出线路组成:控制线路根据外部指令与地址协调芯片内部工作,输入/输出线路负责数据的写入与读取。

存储:NAND Flash

NANDFlash是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。它通过电荷的存储与释放来实现数据存储,与传统的DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)不同,NANDFlash在断电后仍能保存数据,且容量极大、成本相对较低。

按单个Cell单元的数据存储位数划分,NANDFlash可分为SLC(单层式储存)、MLC(双层式储存)、TLC(三层式储存)及QLC(四层式储存)四种类型。当前市场中TLC已成为主流选择,而QLC凭借技术迭代方向明确被定位为未来发展趋势。

受益于AI服务器持续高景气叠加iPhone等智能手机存储芯片参数升级周期,存储行业将开启新一轮发展周期,建议关注国产存储产业链上市公司的价值潜力。

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存储芯片厂商【兆易创新】【普冉股份】【聚辰股份】【东芯股份】【恒烁股份】等;

存储模组和主控厂商【江波龙】【佰维存储】【德明利】【朗科科技】【开普云】等;

       原文标题 : 存储芯片涨价将延续

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