存储芯片的“幕后战”：设备商抢食AI红利

存储芯片市场正在经历一场由AI驱动的结构性变革。今年以来存储芯片价格大幅上涨，但在这波涨价潮背后，更深刻的变革正在发生：AI浪潮正驱动半导体产业向HBM高带宽内存和400层以上3D NAND为代表的高端技术加速迁移。

从存储涨价到设备先行

存储市场目前正经历一场由AI驱动的结构性变革。根据TrendForce集邦咨询的调查，2025年第四季度DRAM合约价预计环比增长45%至50%。

这场涨价潮远非简单的周期性波动，而是AI革命对存储产业链的深度重构。

国际存储巨头已将产能重心转向高利润的高端产品。SK海力士2025年三季度营业利润首次突破10万亿韩元大关，而三星、美光等厂商纷纷将产能向HBM和DDR5倾斜，大幅削减了传统DDR4的供应。

存储巨头们的战略转向带来了明显的产能排挤效应。AI服务器对LPDDR5X需求激增，已开始压缩智能手机LPDRAM供给。这种结构性供需失衡，促使存储价格全面上涨。

在存储涨价潮推动下，下游厂商的扩产计划已加速启动。长江存储三期工厂注册资本达207.2亿元，目标将月产能提升至30万片芯片；长鑫存储二期工厂也在2025年四季度开始试产，每月新增8万片产能。

半导体行业“设备先行”的规律开始发挥作用——下游扩产必须先采购设备。拓荆科技董事长吕光泉指出，随着存储芯片制程的推进及结构复杂化，以及HBM向三维集成方向演进，3D NAND Flash芯片堆叠层数不断提高，这些技术发展趋势将大幅拉动薄膜设备的需求量。

设备厂商的业绩印证了这一趋势。拓荆科技2025年前三季度营收达42.2亿元，同比增长85.27%；净利润5.57亿元，增幅达105.14%。公司合同负债较年初增长64%，存货价值达80.69亿元，均创历史新高。

400层NAND与HBM背后的设备竞赛

当前存储芯片技术正经历一场革命性变革。3D NAND堆叠层数已超过400层，并继续向500层迈进；HBM也正从目前的8层堆叠向12层甚至16层发展。

这一技术演进对半导体设备提出了更高要求。拓荆科技董事长吕光泉指出，存储芯片制程的推进及结构复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求越来越高。薄膜沉积设备需要应对更复杂的工艺挑战。

国际设备巨头已纷纷布局下一代存储技术。Lam Research推出了ALTUS Halo钼原子层沉积设备，面向3D NAND、DRAM和先进逻辑的大批量制造。该公司还推出了Cryo 3.0低温电介质蚀刻技术，专门解决未来400层以上3D NAND的蚀刻挑战。

应用材料公司的Sym3 Y系统则采用创新射频脉冲技术，为3D NAND、DRAM和逻辑节点创建密集排列的高深宽比结构。

在测试领域，泰瑞达推出新一代内存测试平台Magnum 7H，满足HBM芯片测试的严苛要求。

国产设备商也在积极跟进。中微公司等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和DRAM器件的量产，其超高深宽比介质刻蚀能力已达到60:1以上。

华海清科则布局减薄装备、划切装备等新技术，为客户提供3DIC全流程解决方案，满足AI芯片、HBM堆叠封装等前沿技术领域的需求。

国产替代，双料供应商的悄然崛起

在当前的存储扩张周期中，能够同时服务长江存储和长鑫存储的 “双料供应商”正悄然崛起。这些企业同时通过了两大技术路径不同的存储巨头的供应商审核，显示出强劲的技术实力。

深科技是国内最大的独立内存芯片封测企业，长鑫存储一半以上的DRAM芯片由其完成封装测试，同时它也负责长江存储高端消费级3D NAND产品的封测。2025年上半年，深科技存储封测业务收入达42.3亿元，同比增长58%。

在材料领域，安集科技打破了国外企业在CMP抛光液上的垄断。在长江存储的232层3D NAND产线中，安集科技的抛光液占了35%的份额，使芯片良率提升2个百分点，采购成本降低18%。

拓荆科技则成功打入了两大巨头的供应链。在长江存储的232层产线中，拓荆科技的PECVD设备承担了60%的介质薄膜沉积任务，完全替代了进口设备。同时，公司还为长鑫存储的DDR5和HBM产品专门开发了LPCVD设备，2025年三季度开始小批量供货。

政策层面也为国产设备商提供了有力支持。工信部明确到2027年存储芯片国产化率要突破20%，并培育3-5家具有国际竞争力的材料、设备企业。对进入头部存储厂商供应链的企业，国家提供最高30%的研发补贴。

税收优惠也降低了企业的研发成本。供应商在前两年可享受企业所得税全免，后三年减半征收。这意味着像安集科技这样的企业，2025年能减免超过8000万元的税款。

从成本压力到创新动力

存储芯片涨价已对下游产业链产生深远影响。小米集团总裁卢伟冰公开表示，来自上游的成本压力已真实地传导到了新品定价上。“我们无法改变全球供应链的走势，存储成本上涨也远高于预期，而且会持续加剧。”

联想集团董事长兼首席执行官杨元庆则在业绩说明会上表示，人工智能技术的快速发展已推动全球对内存、闪存及固态硬盘等关键零部件的需求激增，短期内价格波动难以避免。不过，“联想与核心供应商建立了长期稳定的合作关系。通过提前锁定产能、签署长期协议，确保未来1至2个季度乃至更长时间内的关键零部件供应安全，并有效控制成本波动对利润的影响。”

存储涨价正在重塑全球供应链关系。由于担心DRAM短缺，多家电子公司正全力囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签订长期供应协议，而以往传统是按季度或年度签订合同。

招商证券报告认为，尽管存储芯片产能在增长，但由于技术升级、优先产能流向高端产品等因素，预计2026年DRAM市场的供应缺口将维持在3%左右。下游AI服务器、云计算、终端设备厂商需要重新审视内存成本与架构，存储不再是简单的成本项目，而是成为AI架构体系中的核心模块。

这一轮存储芯片涨价潮也推动了国产化替代进程。江波龙2025年前三季度实现营业收入167.34亿元，同比增长26.12%；佰维存储实现营收26.63亿元，同比增长68.06%。这些国内存储模组厂商业绩的飞跃，部分受益于存储芯片价格上涨，但也反映出国产替代加速的趋势。

未来三年，HBM4、CXL内存、300+层3D NAND等将成为存储芯片竞争的新战场。对于拓荆科技这样的国产设备商而言，真正的竞赛才刚刚开始。

这场存储芯片涨价潮更像是AI革命引发的产业链重构，而那些能够提供关键设备的“卖水人”，将成为这一波技术浪潮中不可或缺的受益者。