光通信领域中，激光作为信号光源发生装置，把电转成光，而PIN和APD就是光接收机里面的关键芯片了，负责光转换成电。 PIN（Pin Diode）与APD（Avalanche Photodiode）均为半导体光电探测器，但结构设计、工作原理及性能特性存在显著差异。
PIN通过“P-I-N三层结构”实现光信号到电信号的转换，无内部增益；APD则在PIN基础上增加“雪崩倍增区”，通过高反向偏压实现载流子碰撞电离，获得内部增益（10-1000倍），从而具备更高的灵敏度与微光探测能力。
列表中是三种探测器产品的典型参数。
原文标题 : PIN与APD探测器